Xiaobing Yan, male, Han nationality, full-time doctoral degree (Nanjing University), Party member, is currently the deputy director of innovation and entrepreneurship center of Hebei University (preside over the work), vice dean of school of electronic information engineering of Hebei University, deputy Secretary of Baoding Youth League Committee of the Communist Youth League (part time), member of Standing Committee of Hebei Youth League, vice chairman of Baoding Youth Federation.
He is now a professor and doctoral supervisor of Hebei University and senior member of IEEE Association of America, senior member of China Electronics Society, and director of China Youth Association for science and technology. He has successively won Young scholars of national major talent project, Huo Yingdong young teacher award of Ministry of Education，the May 4th Medal of Hebei Youth, the second level of 333 talents project in Hebei, outstanding youth of Hebei Province, top-notch young talents of Hebei Province, etc.
At present, Professor Yan is in charge of four national projects, including one sub project of the strategic pilot science and technology project (category B) of the Chinese Academy of Sciences and three projects of the National Natural Science Foundation of China. And he is in charge of over more than 10 provincial and ministerial level projects such as Hebei outstanding youth fund and 100 outstanding innovative talents in Hebei Province. He has participated in the national "863 Plan" project "development of solid electrolyte nano phase change memory" (2006aa03z303) and "key technology of high-density storage and magnetoelectronic materials". Professor Yan, as the first author, applied for 40 national invention patents and authorized 29 national invention patents, and applied for one American patent, providing technical reserves for the national neck problem. Professor Yan published more than 100 papers, including the top authoritative journals Nature Nanotechnology, advanced materials, nature communications, nano letters, advanced functional materials, etc., including more than 20 papers with impact factor > 10, which were affirmed and cited by peers at home and abroad.
Communication information:
xiaobing_yan@126.com
Key Laboratory of Brain-Like Neuromorphic Devices and Systems of Hebei Province, College of Electron and Information Engineering, Hebei University, Baoding 071002, China
闫小兵，男，我校教授，博导，先后获得国家高层次人才称号，霍英东青年教师奖等荣誉，博士毕业于南京大学，2014-2016于新加坡国立大学担任Research Fellow职位，现任必赢线路检测3003副院长。
Frontiers in Neuroscience 杂志的客座主编，美国IEEE高级会员，Advance Materials、ACS Nano等国际权威期刊审稿人。主持中科院先导B专项子课题1项，国家自然科学基金面上项目2项、国家自然基金青年项目1项（已经结题）以及省杰出青年基金、省优秀青年基金等省部级项目10余项。参与国家“863计划”项目课题“固体电解质纳米相变存储器研制”（2006AA03Z303）和“高密度存储与磁电子材料关键技术”等项目，第二参加人承担国家自然基金面上项目3项。以第1作者（或通信作者）发表SCI论文多篇，包括Nat.Commun., Adv.Mater., Adv.Funct.Mater.，Mater.Horiz, Small等国际权威期刊，SCI论文被他引2000余次；授权国家发明专利29项，部分专利已技术转移到芯片公司。申请美国专利1项。获批河北省省级教改1项、省级示范课1项，主编或参编多部教材，指导学生获得10余项省部级以上荣誉。参与撰写刘明院士主编的《新型阻变存储技术》专著，在科学出版社出版。参与撰写英文专著一部，在Elsevier出版。。
一．研究方向
新型Flash存储器、阻变存储器、忆阻器等新型电子器件集成和用于集成的逻辑控制嵌入式电路设计研究，面向人工神经网络的忆阻器阵列研究。
二．科研项目
[1]. 中国科学院战略性先导科技专项（B类）外协课题：外延铪基铁电薄膜及类脑器件研究（2020-2024），项目号：XDB44000000-7，主持人。
[2]. 国家自然基金项目（面上项目）：基于外延铪基薄膜畴壁调控忆阻器仿神经网络计算与物理机制研究（2019-2022），项目号：61874158，主持人。
[3]. 国家自然基金项目（面上项目）：基于超薄BiFeO3隧道结忆阻器的制备与类脑行为及其物理机制研究（2017-2020），项目号：61674050，主持人。
[4]. 国家自然基金项目：用于电子突触的"模拟"型忆阻器制备方法及特性机理研究(2014-2017)，项目号：61306098，主持人。
[5]. 河北省青年拔尖人才项目：新型类脑忆阻器特性研究，主持人。
[6]. 河北省杰出青年基金：新型忆阻器的制备、微结构调控及突触可塑性物理机制，A2018201231(2018-2020)，主持人
[7]. 河北省优秀青年基金：模拟型阻变存储器原型器件制备与特性研究，F2016201220（2016-2018），主持人。
[8]. 河北省百名创新人才项目，(2019-2022)，主持人
[9]. 河北省教育厅重点项目：基于钛酸锶钡薄膜中氧空位分布与浓度调控的阻变存储特性研究，项目号：ZH2012019 (2012-2014)，主持人。
[10]. 博士后项目：离子注入掺杂简单氧化物阻变特性研究，项目号：2013M530754（2012-2014），主持人 。
[11]. 河北省自然基金面上项目：含铜或银电极铁酸铋薄膜阻变存储特性研究，项目号：E2012201088 (2012-2014)，主持人。
[12]. 河北省高等学校青年拔尖人才计划项目：基于纳米晶Si/Ag+Si复合薄膜的“模拟”型忆阻器特性研究，项目号：BJ2014008.
[13]. 保定市科技局项目：基于钛酸锶薄膜阻变开关性能研究，项目号：11ZG030.主持人，已结题。
[14]. 我校教改项目:以就业为导向的实验课程与教学内容体系改革研究与实践.申请人:闫小兵、马蕾、师建英、高春霞、娄建忠，JX08-ZD-14。
[15]. 河北省省级本科创新项目指导老师：新型flash存储器原型器件研究。
[16]. 我校研究生创新资助项目指导老师：研究生：李玉成，界面互扩散层对电荷俘获储存器性能的研究。
[17]. 国家自然基金面上项目：基于氧化物薄膜晶体管的不挥发性DRAM技术研究，项目号：61376112。第二申请人。80万。
[18]. 国家自然基金面上项目：适于三维集成的阻变存储器选通管技术研究，项目号：61474136.第二申请人。90万。
[19]. 国家自然基金面上项目：银锗硒（碲）玻璃体系固体电解质阻性存储特性研究，项目号：51072078.第二申请人。
[20]. 国家自然基金：超细纳米晶FePt薄膜的L10有序化转变研究，项目号：50801020.第三完成人。
[21]. 863探索性项目，“高密度存储与磁电子材料关键技术”，2014.1-2016.12.批准号2014AA032901，子课题名称：高速低功耗的阻变存储器材料与器件关键技术。
三.外联工作
课题组与南京大学、清华大学、北京大学微电子所、中国科学院微电子研究所、中科院半导体所、深圳大学、新加坡国立大学、美国加州大学圣塔芭芭拉分校等著名研究单位建立长期稳定的合作关系。
四.联系方式
E-Mail: xiaobing_yan@126.com
